Neowine: Patent für höhere HBM-Ausbeute durch Umgehen defekter TSVs

So funktioniert das Patent

Neowine sieht von Anfang an mehr TSVs vor als nötig und umgeht ausgefallene einfach. Üblich ist bisher, in jeden DRAM-Die Reserve-TSVs (RTSVs) und Multiplexer-Schaltungen einzubauen. Laut Unternehmen vergrößert das den Die, erschwert den Speicherzellenprozess und lässt die RC-Signalverzögerung von Lage zu Lage anwachsen, was die Geschwindigkeit drückt.

Neowine bündelt die Schalter, die den Signalweg auswählen, dagegen nur im untersten Base Die (Buffer Die). Die DRAM-Dies bleiben unverändert, was Fläche und Prozessaufwand begrenzt; die Signalsteuerung übernimmt der feine Logikprozess des Base Die. Mit mehr Reservepfaden lassen sich auch Mehrfachfehler wie Kurzschlüsse zwischen benachbarten Leitungen abfangen. Die HBM-Ausbeute, die üblicherweise bei 30 bis 70 Prozent liegt, könne bis in den Bereich von 99 Prozent steigen, so das Unternehmen.

Passendes Timing mit HBM4

Ab der sechsten Generation (HBM4) verdoppeln sich die I/O-Pfade von 1.024 auf 2.048, die TSV-Dichte steigt stark. Zugleich verlagern Speicherhersteller den Base Die von eigenen DRAM-Prozessen auf modernste Logikprozesse von Foundries. Das erleichtert es, Schaltlogik im Base Die zu bündeln. Firmenchef Lee Hyo-seung sagt, dieser Branchentrend passe zeitlich gut zum patentierten Ansatz.