Osegi
Железо·2 мин чтения

Z2RAM: Пэт Гелсингер инвестирует в память против «стены памяти»

Бывший глава Intel Пэт Гелсингер вкладывается в Nagare Labs и её Z2RAM — многослойную память с пропускной способностью уровня SRAM и плотностью ближе к DRAM.

Conceptual illustration of stacked memory layers sitting directly above an AI accelerator chip.
Фото: Spider's Web

Бывший глава Intel Пэт Гелсингер инвестирует в стартап Nagare Labs и его память Z2RAM. Технология должна объединить скорость SRAM, плотность, близкую к DRAM, и возможность наращивать слои, как в NAND. Пока это лишь заявления разработчиков, готового продукта нет.

«Стена памяти» тормозит ИИ

Z2RAM нацелена на проблему «memory wall». По приведённым данным, за последние три десятилетия пиковая вычислительная производительность росла в среднем на 70% в год, а пропускная способность памяти — примерно на 20%. Мощные чипы всё чаще простаивают в ожидании данных. Особенно это заметно в генеративном ИИ, где большие модели постоянно перемещают огромные объёмы параметров между памятью и вычислительными блоками.

Nagare Labs утверждает, что извлечение значения из HBM может требовать примерно в тысячу раз больше энергии, чем операция над ним. Эту цифру называет компания, продвигающая собственную технологию, поэтому её следует считать заявлением производителя.

Как должна работать Z2RAM

Компания выделилась из Georgia Tech, её сооснователи — профессора Суман Датта и Шимэн Ю. Датта участвовал в создании технологий High-k/Metal Gate и транзисторов Tri-Gate, которые применяет Intel, а Ю разработал открытый симулятор NeuroSim.

В ячейке Z2RAM нет физического конденсатора. Она состоит из двух транзисторов, а заряд хранится в ёмкости затвора второго из них. Благодаря этому чтение не разрушает данные, что должно снизить задержки. Основой служат оксидные полупроводники, а слои памяти размещаются прямо над ускорителем без интерпозера. Вертикальные соединения сократят путь данных до микрометров вместо миллиметров, а энергия передачи, как заявляется, составит заметно меньше одного пикоджоуля на бит.

Первое поколение рассчитано на плотность в пять раз выше, чем у SRAM, за счёт шести слоёв: на площади 64-мегабайтного блока SRAM уместится около 320 МБ при сопоставимой пропускной способности. Дорожная карта предусматривает более 100 слоёв.

Что дальше

Подход напоминает 3D V-Cache от AMD — крупную быструю память рядом с логикой, но Nagare Labs замахивается на большее. Выйдет ли Z2RAM за рамки обещаний, покажут только работающие чипы.

Теги:z2ramnagare labspat gelsingermemory wallsramai accelerators

Ещё за этот день

Показать все →

Ещё в рубрике: Железо

Показать все →