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LG化学、HBM向けMR-MUF接合材の開発に着手

LG化学がHBM製造のMR-MUF工程向け接合材の開発を始めた。NCFに続く取り組みで、日本企業への依存低減につながる可能性がある。

Stacked HBM memory chips on a semiconductor package, illustrating the bonding materials used between DRAM layers.
画像: 미래를 보는 창 - 전자신문

LG化学が、広帯域メモリー(HBM)の製造に欠かせないMR-MUF(マスリフロー・モールデッドアンダーフィル)工程向けの接合材の開発に着手した。11日、業界関係者の話として明らかになった。DRAMを接合する非導電性接着フィルム(NCF)に続く開発で、HBM中核素材の国産化の範囲を広げる動きだ。

二つの工程に対応

HBMはDRAMを垂直に積層してデータ処理性能を高めたメモリーで、代表的なAIメモリーとされる。チップ間の微細な隙間を埋めて接合部を保護する接合材は、積層構造の安定性や放熱性能を左右する。積層数が増えるほどチップ間隔が狭まり、材料開発の難度は急上昇する。

サムスン電子とマイクロンは、フィルム状のNCFを配置し、熱と圧力で接合する。LG化学は独自技術でNCFを開発し、主要顧客による評価を進めている。最近は技術面で大きな進展があり、良好な評価を得たという。一方、SK hynixはチップを先に積み、電極を一括接合したうえで液状の保護材を注入して硬化させるMR-MUF工程を採用している。LG化学が開発するのは、この工程向けのMUFだ。

供給網の多様化

現在、サムスン電子が使うNCFは主に日本のレゾナック、SK hynixのMR-MUF材料は日本のナミックスが供給している。LG化学の開発が成功すれば、HBMメーカーは日本製への依存を下げ、供給網を多様化できる。LG化学にとっても、NCFでサムスン電子とマイクロン、MUFでSK hynixなど潜在顧客に事業を広げられる利点がある。

今後は顧客の工程に合わせた性能評価と信頼性検証を進めるとみられる。業界関係者は「HBM製造は国内半導体企業が主導しているが、核心素材の供給網は多くを海外に依存している」とし、NCFとMR-MUF材料の量産・供給に成功すれば国内供給網の強化につながると語った。

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