Neowine запатентовала способ повысить выход HBM за счёт отказа от дефектных TSV

Решение: запас линий и единый коммутатор

По патенту Neowine линий передачи данных изначально закладывается больше необходимого, а неисправные не ремонтируются, а полностью обходятся. Ранее в каждый кристалл DRAM встраивали резервные TSV (RTSV) и мультиплексоры (MUX) для переключения сигнала. Это увеличивает площадь кристалла, а задержка RC накапливается с каждым слоем и снижает скорость.

Neowine размещает коммутатор, выбирающий используемую линию, только в нижнем базовом кристалле (base die, buffer die). Кристаллы DRAM остаются без изменений, что снижает площадь и нагрузку на техпроцесс, а управление сигналами выполняется в базовом кристалле, изготовленном по тонкому логическому процессу. Увеличив число резервных линий, можно справляться и с множественными дефектами, например коротким замыканием соседних линий. По словам компании, выход годных, обычно составляющий 30–70%, можно довести до 99%.

Совпадение с трендом HBM4

В HBM4 число каналов ввода-вывода растёт с 1024 до 2048, а плотность TSV резко увеличивается. Одновременно производители переносят базовый кристалл с собственного DRAM-процесса на передовой логический процесс фабрик-контрактников. Это повышает эффективность реализации схемы с коммутацией в базовом кристалле. Гендиректор Ли Хё Сын отметил, что отраслевой переход совпал по времени с патентным решением компании.