Osegi
العتاد·1 دقائق قراءة

فيشاي تحصل على دعم لإنتاج رقائق 300 مم في إيتسيهو

حصلت فيشاي على دعم حكومي لتوسيع مصنع الرقائق في إيتسيهو، وستُنتج ترانزستورات MOSFET القدرة من شليسفيغ هولشتاين على رقائق سيليكون أكبر بقطر 300 مم.

Silicon wafers in a semiconductor cleanroom at a chip fab producing power MOSFETs.
الصورة: heise online

حصلت شركة أشباه الموصلات Vishay على دعم حكومي لتوسيع مصنعها في مدينة إيتسيهو بولاية شليسفيغ هولشتاين الألمانية. وقد جرى تسليم التمويل رسميًا إلى الشركة، بهدف الانتقال إلى التصنيع على رقائق سيليكون أكبر بقطر 300 مم.

ما الذي سيتغير في إيتسيهو

تنتج منشأة إيتسيهو ترانزستورات MOSFET عالية القدرة، وستُصنَّع هذه المكونات مستقبلًا على رقائق قطرها 300 مم. وتوسّع Vishay مصنعها للرقائق الإلكترونية من أجل ذلك.

كلما زاد قطر الرقاقة أمكن الحصول على عدد أكبر من الرقائق الإلكترونية من القطعة الواحدة، ولذلك يُنظر إلى الانتقال إلى 300 مم في صناعة أشباه الموصلات على أنه خطوة نحو إنتاج أكثر كفاءة. أما قيمة الدعم وموعد بدء الإنتاج فلم يرد أي منهما في المعلومات المتاحة.

أهمية الخطوة

تُعد ترانزستورات MOSFET عالية القدرة من المكونات الأساسية في إلكترونيات القدرة. ويعزز توسيع المصنع في ألمانيا قاعدة التصنيع الأوروبية في هذا المجال، كما يشير الدعم إلى أن إيتسيهو ستبقى موقعًا مهمًا ضمن شبكة إنتاج الرقائق لدى Vishay.

الوسوم:vishayitzehoe300mm waferpower mosfetsemiconductor funding

المزيد من هذا اليوم

عرض الكل →

المزيد في: العتاد

عرض الكل →