Neowine का HBM यील्ड बढ़ाने वाला पेटेंट: खराब TSV होंगे बाइपास
कोरियाई फैबलेस कंपनी Neowine ने खराब TSV की मरम्मत के बजाय उन्हें बाइपास करने वाला डिज़ाइन पेटेंट कराया है। दावा है कि HBM यील्ड 99% तक पहुंच सकती है।
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giftdetect· मिनटों में सही तोहफ़ासिक्योरिटी सेमीकंडक्टर फैबलेस कंपनी Neowine (सीईओ ली ह्यो-सुंग) ने हाई बैंडविड्थ मेमोरी (HBM) की पुरानी समस्या, यानी कम यील्ड, को सुधारने वाली मूल तकनीक विकसित की है। कंपनी ने "हाई बैंडविड्थ मेमोरी डिवाइस" (पेटेंट संख्या 10-3036335) का दक्षिण कोरिया में पेटेंट पंजीकरण पूरा कर लिया है और अमेरिका में आवेदन भी दाखिल कर दिया है।
समस्या क्या है
HBM में DRAM डाई की 12 से 16 या उससे अधिक परतें लंबवत रखी जाती हैं और हज़ारों सिलिकॉन थ्रू-इलेक्ट्रोड (TSV) से जोड़ी जाती हैं। इस प्रक्रिया में एक भी TSV में सूक्ष्म खराबी हो तो पूरा मेमोरी स्टैक बेकार हो जाता है। TSMC की CoWoS जैसी एडवांस्ड पैकेजिंग से GPU के साथ जुड़ने के बाद खराबी मिले, तो महंगी लॉजिक डाई भी फेंकनी पड़ती है। इसलिए परतें बढ़ने के साथ TSV यील्ड और अहम हो जाती है।
पेटेंट का तरीका
Neowine की तकनीक में शुरू से ज़रूरत से अधिक TSV रखे जाते हैं और खराब निकले रास्ते की मरम्मत करने के बजाय उसे छोड़कर बाइपास कर दिया जाता है। पहले हर DRAM डाई में रिज़र्व TSV (RTSV) और सिग्नल पथ बदलने वाला MUX सर्किट जोड़ा जाता था। इससे डाई का क्षेत्रफल बढ़ता था और परतें बढ़ने पर सिग्नल की RC देरी जमा होकर गति घटाती थी।
नए तरीके में रास्ता चुनने वाला स्विच अलग-अलग DRAM डाई में नहीं, बल्कि सबसे नीचे की बेस डाई (बफर डाई) में रखा जाता है। DRAM डाई का डिज़ाइन नहीं बदलता, और सिग्नल नियंत्रण बेस डाई की महीन लॉजिक प्रक्रिया में होता है। कंपनी के अनुसार रिज़र्व रास्ते बढ़ाने पर दो पास की लाइनों के शॉर्ट होने जैसी कई खराबियां भी संभल सकती हैं, और आमतौर पर 30–70% रहने वाली यील्ड 99% तक जा सकती है।
HBM4 से तालमेल
HBM4 से I/O रास्ते 1,024 से बढ़कर 2,048 हो रहे हैं, जिससे TSV घनत्व तेज़ी से बढ़ता है। साथ ही मेमोरी निर्माता बेस डाई को फाउंड्री की उन्नत लॉजिक प्रक्रिया पर ले जा रहे हैं। सीईओ ली ने कहा कि बेस डाई के लॉजिक फाउंड्री प्रक्रिया में जाने का रुझान और स्विच को वहीं केंद्रित करने वाली उनकी पेटेंट पद्धति समय के लिहाज़ से अच्छी तरह मेल खाते हैं।
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